Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в индустрии модулей eUFS объемом 512 гигабайт для мобильных устройств следующего поколения.
Такие модули памяти ориентированы на флагманские смартфоны и планшеты. Встраиваемые модули флеш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND.
Как отмечает производитель, они вдвое превышают плотность прошлых модулей eUFS на 256 ГБ с 48-слойными чипами V-NAND, обеспечивая двойную ёмкость при сохранении занимаемого пространства.
Скорость последовательного чтения и записи составляет 860 МБ/с и 255 МБ/с, соотвественно. Для произвольных операций, новые eUFS обеспечивают 42 000 IOPS ( операций ввода-вывода в секунду) при чтении и 40 000 IOPS при записи. Это примерно в 400 раз быстрее скорости в 100 IOPS у обычных карт microSD.
Комментарии
Случайное
«Милый, к нам приезжает моя мама»
20 декабря 2013
Чем занимаются пользователи в
14 июля 2014
Что должен мужчина иметь к 30 годам
29 января 2018
В Ливане состоялся элитный
31 марта 2014
Hardwell - United We Are REMIXED
8 декабря 2015
Фобии: чего боится человечество?
14 октября 2014
Хочу красивые ножки, или как избавиться
14 ноября 2014
Названы 10 самых популярных смартфонов
11 декабря 2018