Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в индустрии модулей eUFS объемом 512 гигабайт для мобильных устройств следующего поколения.
Такие модули памяти ориентированы на флагманские смартфоны и планшеты. Встраиваемые модули флеш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND.
Как отмечает производитель, они вдвое превышают плотность прошлых модулей eUFS на 256 ГБ с 48-слойными чипами V-NAND, обеспечивая двойную ёмкость при сохранении занимаемого пространства.
Скорость последовательного чтения и записи составляет 860 МБ/с и 255 МБ/с, соотвественно. Для произвольных операций, новые eUFS обеспечивают 42 000 IOPS ( операций ввода-вывода в секунду) при чтении и 40 000 IOPS при записи. Это примерно в 400 раз быстрее скорости в 100 IOPS у обычных карт microSD.
Комментарии
Случайное
Жень, а я персик хочу
19 октября 2018
Что произойдет с неукрепленной
11 марта 2014
Создан первый человек-бионик!
28 февраля 2013
Рецензия на фильм Люди Икс / X-Men
26 декабря 2011
Apple назвала самые популярные игры и
8 декабря 2017
Сборщиков Павел
5 февраля 2012
Стресс вызвает зависимость от мобильника
9 ноября 2017
«Запорожец» будущего
22 мая 2017